| 类型 | 描述 |
|---|
| 封装 | TSMT |
| 漏源极电阻 | 0.042 Ω |
| 极性 | N |
| 漏源极电压(Vds) | 30 V |
| 连续漏极电流(Ids) | 4.5A |
| 类型 | 描述 |
|---|
| 产品生命周期 | Not Recommended |
| 最小包装数量 | 3000 |
最大源漏极电压Vds Drain-Source Voltage| 30V \---|--- 最大栅源极电压Vgs(±) Gate-Source Voltage| 12V 最大漏极电流Id Drain Current| 4.5A 源漏极导通电阻ΩRds DΩ/Ohmain-SouΩ/Ohmce On-State Ω/Ohmesistance| 60mΩ@ VGS =2.5V, ID =4.5A 开启电压Vgs（th） Gate-Source Threshold Voltage| 0.5~1.5V 耗散功率Pd Power Dissipation| 2W Description & Applications| Features 1) Low on-resistance. 2) Built-in G-S Protection Diode. 3) Small and Surface Mount Package (TSMT6) . Application Power switching, DC / DC converter. 描述与应用| 特点 1）低导通电阻。 2）内置G-S的保护二极管。 3）小和表面贴装封装（TSMT6）。 应用 电源开关，DC / DC变换器。
ROHM Semiconductor（罗姆半导体）
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