| 类型 | 描述 |
|---|
| 封装 | SOT-23 |
| 漏源极电阻 | 0.115 Ω |
| 极性 | P |
| 漏源极电压(Vds) | -20V |
| 连续漏极电流(Ids) | -2.5A |
最大源漏极电压VdsDrain-Source Voltage| -20V \---|--- 最大栅源极电压Vgs(±)Gate-Source Voltage| 12V 最大漏极电流IdDrain Current| -2.5A 源漏极导通电阻RdsDrain-Source On-State Resistance| 0.07Ω @-2.5A,-4.5V 开启电压Vgs（th）Gate-Source Threshold Voltage| -0.7--2.0V 耗散功率PdPower Dissipation| 1W Description & Applications| Features Low On-resistance. Built-in G-S Protection Diode. Small and Surface Mount Package (TSMT3). 描述与应用| 低导通电阻。 内置G-S的保护二极管。 小和表面贴装封装（TSMT3）
ROHM Semiconductor（罗姆半导体）
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ROHM Semiconductor（罗姆半导体）
N 沟道 1 W 30 V 133 mOhm 表面贴装 2.5 V 驱动 MosFet - TSMT-3
ROHM Semiconductor（罗姆半导体）
P-沟道 1 W -20 V 160 mOhm 表面贴装 2.5 V 驱动 MosFet - TSMT -3
ROHM Semiconductor（罗姆半导体）
晶体管, MOSFET, N沟道, 2.5 A, 45 V, 0.095 ohm, 4.5 V, 1.5 V
ROHM Semiconductor（罗姆半导体）
ROHM RTR025P02FRATL 晶体管, MOSFET, AEC-Q101, P沟道, -2.5 A, -20 V, 0.07 ohm, -4.5 V, -2 V
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RTR025P02 P沟道MOS场效应管 -20V 2.5A 0.07ohm SOT-23 marking/标记 TY 低导通电阻 内置栅源保护二极管
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RTR025N03 N沟道MOSFET 30V 2.5A SOT-23/SC-59 marking/标记 QZ 逻辑电平
ROHM Semiconductor（罗姆半导体）
ROHM RTR025N03FRATL 晶体管, MOSFET, N沟道, 2.5 A, 30 V, 0.066 ohm, 4.5 V, 1.5 V 新
ROHM Semiconductor（罗姆半导体）
ROHM RTR025N05FRATL 晶体管, MOSFET, N沟道, 2.5 A, 45 V, 0.095 ohm, 4.5 V, 1.5 V 新
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2.5V驱动N沟道MOSFET 2.5V Drive Nch MOSFET
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