| 类型 | 描述 |
|---|
| 封装 | SOT-23 |
| 漏源极电阻 | 0.047 Ω |
| 极性 | N |
| 漏源极电压(Vds) | 30 V |
| 连续漏极电流(Ids) | 4A |
最大源漏极电压Vds Drain-Source Voltage| 30V \---|--- 最大栅源极电压Vgs(±) Gate-Source Voltage| 12V 最大漏极电流Id Drain Current| 4A 源漏极导通电阻ΩRds DΩ/Ohmain-SouΩ/Ohmce On-State Ω/Ohmesistance| 0.048Ω/Ohm @2.5A,4.5V 开启电压Vgs（th） Gate-Source Threshold Voltage| 0.5-1.5V 耗散功率Pd Power Dissipation| 1W Description & Applications| Switching (30V, 4.0A) Power switching, DC / DC converter. Low On-resistance. Built-in G-S Protection Diode. Small and Surface Mount Package 描述与应用| 开关（30V，4.0A） 电源开关，DC / DC变换器 低导通电阻。 内置G-S的保护二极管小和表面贴装封装
ROHM Semiconductor（罗姆半导体）
5 页 / 0.08 MByte
ROHM Semiconductor（罗姆半导体）
5 页 / 0.07 MByte
ROHM Semiconductor（罗姆半导体）
ROHM RTR040N03TL 晶体管, MOSFET, 低栅极阈值电压, N沟道, 4 A, 30 V, 66 mohm, 4.5 V, 1.5 V
ROHM Semiconductor（罗姆半导体）
ROHM RTR040N03FRATL 晶体管, MOSFET, N沟道, 4 A, 30 V, 0.034 ohm, 4.5 V, 1.5 V 新
ROHM Semiconductor（罗姆半导体）
RTR040N03 N沟道MOSFET 30V 4A SOT-23/SC-59 marking/标记 QV 逻辑电平
ROHM Semiconductor（罗姆半导体）
2.5V驱动N沟道MOS FET 2.5V Drive Nch MOS FET
器件 Datasheet 文档搜索
数据库涵盖高达 72,405,303 个元件的数据手册，每天更新 5,000 多个 PDF 文件
