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RTU002P02T106
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RTU002P02T106 数据手册 - ROHM Semiconductor（罗姆半导体）

制造商:ROHM Semiconductor（罗姆半导体）
分类:MOS管
封装:SOT-323-3
描述:20V,0.25A,P沟道MOSFET
PDF文件:RTU002P02T106 数据手册 (8 页)封装尺寸在8 页
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RTU002P02T106 数据手册 (8 页)
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RTU002P02T106 技术参数、封装参数

类型描述
安装方式Surface Mount
引脚数3 Pin
额定电压(DC)-20.0 V
额定电流-200 mA
封装SOT-323-3
漏源极电阻1 Ω
极性P-Channel
功耗200 mW
漏源极电压(Vds)20 V
连续漏极电流(Ids)250 mA
上升时间6 ns
输入电容值(Ciss)50pF @10V(Vds)
额定功率(Max)200 mW
下降时间45 ns
工作温度(Max)150 ℃
工作温度(Min)-55 ℃
耗散功率(Max)200mW (Ta)
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RTU002P02T106 外形尺寸、物理参数、其它

类型描述
产品生命周期Not Recommended for New Designs
包装方式Tape & Reel (TR)
材质Silicon
长度2.9 mm
宽度1.6 mm
高度0.85 mm
工作温度150℃ (TJ)
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RTU002P02T106 数据手册

RTU002P02T106 数据手册
ROHM Semiconductor（罗姆半导体）
8 页 / 0.11 MByte
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3 页 / 0.05 MByte
RTU002P02T106 其他参考文件
ROHM Semiconductor（罗姆半导体）
1 页 / 0.14 MByte

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