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RU1C002ZPTCL
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RU1C002ZPTCL 数据手册 - ROHM Semiconductor（罗姆半导体）

制造商:ROHM Semiconductor（罗姆半导体）
分类:MOS管
封装:SOT-323-3
描述:RU1C002ZP 系列 20 V 200 mA 1.2 Ohm 硅 表面贴装 P-沟道 Mosfet - UMT-3F
PDF文件:RU1C002ZPTCL 数据手册 (13 页)典型应用电路图在12 页
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焊盘图
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RU1C002ZPTCL 数据手册 (13 页)
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RU1C002ZPTCL 技术参数、封装参数

类型描述
安装方式Surface Mount
引脚数3 Pin
封装SOT-323-3
针脚数3 Position
漏源极电阻0.8 Ω
极性P-Channel
功耗150 mW
漏源极电压(Vds)20 V
上升时间4 ns
输入电容值(Ciss)115pF @10V(Vds)
下降时间17 ns
工作温度(Max)150 ℃
工作温度(Min)-55 ℃
耗散功率(Max)150 mW
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RU1C002ZPTCL 外形尺寸、物理参数、其它

类型描述
产品生命周期Active
包装方式Tape & Reel (TR)
材质Silicon
长度2.1 mm
宽度1.35 mm
高度1 mm
工作温度150℃ (TJ)
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RU1C002ZPTCL 数据手册

RU1C002ZPTCL 数据手册
ROHM Semiconductor（罗姆半导体）
13 页 / 2.15 MByte
RU1C002ZPTCL 其他数据使用手册
ROHM Semiconductor（罗姆半导体）
43 页 / 1.89 MByte

RU1C002 数据手册

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ROHM Semiconductor（罗姆半导体）
RU1C002ZP 系列 20 V 200 mA 1.2 Ohm 硅 表面贴装 P-沟道 Mosfet - UMT-3F
RU1C002UNTCL 数据手册
ROHM Semiconductor（罗姆半导体）
晶体管, MOSFET, N沟道, 200 mA, 20 V, 0.8 ohm, 2.5 V, 1 V
RU1C002ZP 数据手册
ROHM Semiconductor（罗姆半导体）
1.2V驱动P沟道MOSFET 1.2V Drive Pch MOSFET
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