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RUE003N02TL
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RUE003N02TL 数据手册 - ROHM Semiconductor（罗姆半导体）

制造商:ROHM Semiconductor（罗姆半导体）
分类:MOS管
封装:SOT-23-3
PDF文件:RUE003N02TL 数据手册 (5 页)封装尺寸在5 页
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焊盘图
引脚图
产品图
RUE003N02TL 数据手册 (5 页)
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RUE003N02TL 技术参数、封装参数

类型描述
安装方式Surface Mount
引脚数3 Pin
封装SOT-23-3
漏源极电阻0.7 Ω
极性N-Channel
功耗150 mW
阈值电压300 mV
漏源极电压(Vds)20 V
连续漏极电流(Ids)0.3A
上升时间10 ns
输入电容值(Ciss)25pF @10V(Vds)
额定功率(Max)150 mW
下降时间10 ns
工作温度(Max)150 ℃
工作温度(Min)-55 ℃
耗散功率(Max)150mW (Ta)
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RUE003N02TL 外形尺寸、物理参数、其它

类型描述
产品生命周期Obsolete
包装方式Tape & Reel (TR)
长度1.6 mm
宽度0.8 mm
高度0.7 mm
工作温度150℃ (TJ)
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RUE003N02TL 数据手册

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ROHM Semiconductor（罗姆半导体）
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