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RUR020N02TL
来自 AiPCBA

RUR020N02TL 数据手册 - ROHM Semiconductor（罗姆半导体）

制造商:ROHM Semiconductor（罗姆半导体）
分类:MOS管
封装:SOT-23-3
描述:RUR020N02 系列 20 V 2 A 2 nC 表面贴装 N 沟道 Mosfet - TSMT-3
PDF文件:RUR020N02TL 数据手册 (1 页)
Pictures:
符号图
焊盘图
引脚图
产品图

RUR020N02TL 技术参数、封装参数

类型描述
安装方式Surface Mount
引脚数3 Pin
封装SOT-23-3
针脚数3 Position
漏源极电阻0.075 Ω
极性N-CH
功耗1 W
阈值电压1 V
漏源极电压(Vds)20 V
连续漏极电流(Ids)2A
上升时间17 ns
输入电容值(Ciss)180pF @10V(Vds)
额定功率(Max)1 W
下降时间30 ns
工作温度(Max)150 ℃
工作温度(Min)-55 ℃
耗散功率(Max)540mW (Ta)
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RUR020N02TL 外形尺寸、物理参数、其它

类型描述
产品生命周期Active
包装方式Tape & Reel (TR)
材质Silicon
长度3 mm
宽度1.8 mm
高度0.95 mm
工作温度150℃ (TJ)
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RUR020N02TL 数据手册

RUR020N02TL 数据手册
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RUR020N02 数据手册

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ROHM Semiconductor（罗姆半导体）
RUR020N02 系列 20 V 2 A 2 nC 表面贴装 N 沟道 Mosfet - TSMT-3
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