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RZQ045P01TR
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RZQ045P01TR 数据手册 - ROHM Semiconductor（罗姆半导体）

制造商:ROHM Semiconductor（罗姆半导体）
分类:MOS管
封装:TSOT-23-6
描述:P 沟道 1.25 W -12 V 100 mOhm 表面贴装 2.5 V 驱动 MosFet - TSMT-3
PDF文件:RZQ045P01TR 数据手册 (6 页)
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RZQ045P01TR 技术参数、封装参数

类型描述
安装方式Surface Mount
封装TSOT-23-6
通道数1 Channel
极性P-CH
功耗1.25W (Ta)
漏源极电压(Vds)12 V
连续漏极电流(Ids)4.5A
上升时间75 ns
输入电容值(Ciss)2450pF @6V(Vds)
下降时间215 ns
耗散功率(Max)1.25W (Ta)
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RZQ045P01TR 外形尺寸、物理参数、其它

类型描述
产品生命周期Active
包装方式Tape & Reel (TR)
宽度1.6 mm
工作温度150℃ (TJ)
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RZQ045P01TR 数据手册

RZQ045P01TR 数据手册
ROHM Semiconductor（罗姆半导体）
6 页 / 0.17 MByte
RZQ045P01TR 其他数据使用手册
ROHM Semiconductor（罗姆半导体）
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RZQ045P01 数据手册

RZQ045P01TR 数据手册
ROHM Semiconductor（罗姆半导体）
P 沟道 1.25 W -12 V 100 mOhm 表面贴装 2.5 V 驱动 MosFet - TSMT-3
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