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RZQ050P01TR
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RZQ050P01TR 数据手册 - ROHM Semiconductor（罗姆半导体）

制造商:ROHM Semiconductor（罗姆半导体）
分类:MOS管
封装:TSOT-23-6
描述:ROHM  RZQ050P01TR  晶体管, MOSFET, P沟道, -5 A, -12 V, 0.019 ohm, -4.5 V, -300 mV
PDF文件:RZQ050P01TR 数据手册 (12 页)
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RZQ050P01TR 数据手册 (12 页)
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RZQ050P01TR 技术参数、封装参数

类型描述
安装方式Surface Mount
引脚数6 Pin
封装TSOT-23-6
针脚数6 Position
漏源极电阻0.019 Ω
极性P-Channel
功耗1.25 W
阈值电压300 mV
漏源极电压(Vds)12 V
连续漏极电流(Ids)5A
上升时间100 ns
输入电容值(Ciss)2850pF @6V(Vds)
额定功率(Max)1.25 W
下降时间225 ns
工作温度(Max)150 ℃
工作温度(Min)-55 ℃
耗散功率(Max)600mW (Ta)
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RZQ050P01TR 外形尺寸、物理参数、其它

类型描述
产品生命周期Active
包装方式Tape & Reel (TR)
长度3 mm
宽度1.8 mm
高度0.95 mm
工作温度150℃ (TJ)
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RZQ050P01TR 数据手册

RZQ050P01TR 数据手册
ROHM Semiconductor（罗姆半导体）
12 页 / 1.34 MByte
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RZQ050P01TR 数据手册
ROHM Semiconductor（罗姆半导体）
ROHM  RZQ050P01TR  晶体管, MOSFET, P沟道, -5 A, -12 V, 0.019 ohm, -4.5 V, -300 mV
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