S-1200B18-M5T1G 数据手册 - Seiko

电路数量Number of Regulators| 1 \---|--- 输入电压VINVoltage - Input| 0.3~12V 输出电压VOUTVoltage - Output| 1.8V 输出电流IoCurrent - Output| 100mA/0.1A 最大压降VDOVoltage - Dropout| 550mV/0.55V 带使能脚EN/CE(ON/OFF功能)With Enable Pin| 有 Yes 最大耗散功率PdPower dissipation| Description & Applications| HIGH RIPPLE-REJECTION LOW DROPOUT LOW INPUT-AND-OUTPUT CAPACITANCE CMOS VOLTAGE REGULATOR ;•Output voltage: 1.5 V to 5.5 V, selectable in 0.1 V steps. •Low ESR capacitor can be used: A ceramic capacitor of 0.1 μF or more can be used for the output capacitor. •Wide input voltage range: 2.0 V to 10.0 V •High-accuracy output voltage: ±1.0% •Low dropout voltage: 140 mV typ. (3.0 V output product, IOUT = 100 mA) •Low current consumption: During operation: 18 μA typ., 40 μA max. During shutdown: 0.01 μA typ., 1.0 μA max. •Output current: 150 mA output is possible (@ VIN ≥ VOUT(S) + 1.0 V) • High ripple rejection: 70 dB typ. (@ 1.0 kHz, 1.5 V ≤ VOUT ≤ 3.0 V) 65 dB typ. (@ 1.0 kHz, 3.1 V ≤ VOUT ≤ 5.5 V) •Built-in overcurrent protector: Overcurrent of output transistor can be restricted. •Built-in ON/OFF circuit: Ensures long battery life. 描述与应用| 高纹波抑制率低压差低输入和输出 电容CMOS电压稳压器;•输出电压：1.5 V至5.5 V，0.1 V步骤选择。 •可以使用低ESR电容：0.1μF以上的陶瓷电容器可用于输出电容。 •宽输入电压范围：2.0 V至10.0 V •高输出电压精度：±1.0％ •低压差电压：140 mV典型。 （3.0 V输出产品，IOUT= 100 mA时） •低电流消耗：在操作过程中：18μA（典型值），最大40μA。 在关机：0.01μA（典型值），1.0μA最大值。 •输出电流：150 mA输出是可能的（@ VIN≥VOUT（S）+1.0 V） •高纹波抑制：70 dB（典型值）。 （@1.0千赫，1.5 V≤VOUT≤3.0 V） 65 dB（典型值）。 （@1.0千赫，3.1 V≤VOUT≤5.5 V） •内置过载电流保护：可以限制输出晶体管的过载电流。 •内置开/关控制电路，确保电池寿命长。