S25FL128SAGBHI200是一款128MB MirrorBit®闪存非易失性存储器CMOS 3V内核, 带有灵活的I/O串行外设接口multi-I/O. 该系列器件通过串行外设接口 (SPI)连接至主控系统. 此外, FL-S系列增加了双倍数据速率读取命令的支持, 用于SIO, DIO与QIO, 该命令可在时钟的两个边沿传输地址与读取数据. eclipse架构具有一个页编程缓冲, 允许一次操作中最多可编程128字 (256字节)或256字 (512字节), 从而比上一代SPI编程或清除算法更快地进行有效编程与清除. 直接从闪存执行代码通常称为Execute-In-Place或XIP. 通过使用支持QIO或DDR-QIO命令的更高时钟速率的FL-S器件, 指令读取传输速率可以达到或超过传统并行接口异步NOR闪存, 同时减少信号数量.
● SPI时钟极性与相位模式0和3
● 多I/O指令集与占位面积, 兼容S25FL-P SPI系列
● 通用闪存接口 (CFI)数据, 用于配置信息
● Quad-input page programming (QPP), 用于慢时钟系统
● 周期耐久性 - 所有扇区100000次编程清除周期 (典型值)
● 数据保留 - 20年(典型值)
● One time program (OTP) 数组1024字节
● 状态寄存器位用来防止连续范围扇区的编程/清除
● 单独的扇区保护由引导代码或密码控制
● Spansion® 65nm MirrorBit技术, Eclipse™架构