| 类型 | 描述 |
|---|
| 安装方式 | Surface Mount |
| 引脚数 | 8 Pin |
| 电源电压 | 2.70V (min) |
| 封装 | WSON-8 |
| 针脚数 | 8 Position |
| 时钟频率 | 133 MHz |
| 内存容量 | 16000000 B |
| 存取时间(Max) | 8 ns |
| 工作温度(Max) | 85 ℃ |
| 工作温度(Min) | -40 ℃ |
| 电源电压 | 2.7V ~ 3.6V |
| 电源电压(Max) | 3.6 V |
| 电源电压(Min) | 2.7 V |
| 类型 | 描述 |
|---|
| 产品生命周期 | Unknown |
| 包装方式 | Tube |
| 长度 | 8 mm |
| 宽度 | 6 mm |
| 高度 | 0.75 mm |
| 工作温度 | -40℃ ~ 85℃ (TA) |
S25FL128SAGNFI001是一款128Mb Flash-NOR非易失性存储器, 带SPI接口. 这是一款MirrorBit®闪存非易失性存储器CMOS 3V内核, 具有多功能I/O与串行外设接口, 带multi-I/O. multi I/O指令集和占位面积与S25FL-P SPI系列相互兼容, 串行指令集和占位面积与S25FL-A, S25FL-K和S25FL-P SPI 系列相互兼容. 具有一个1024字节安全一次性编程 (OTP)阵列. FL串行闪存减少引脚数量, 以降低系统成本, 同时提供最佳读/写性能.
● SPI时钟极性与相位模式0和3
● 通用闪存接口 (CFI)数据, 用于配置信息
● Quad-input page programming (QPP), 用于慢时钟系统
● 耐久性 - 每个扇区最少100000次编程擦除周期
● 数据保留 - 20年(典型值)
● Spansion® 65nm Mirror-bit技术, Eclipse™架构
● -40至85°C工业温度范围
Cypress Semiconductor（赛普拉斯）
144 页 / 4.88 MByte
Cypress Semiconductor（赛普拉斯）
154 页 / 7.08 MByte
Cypress Semiconductor（赛普拉斯）
4 页 / 0.1 MByte
Cypress Semiconductor（赛普拉斯）
S25FL128S 系列 128 Mb (16M x 8)3 V 表面贴装 SPI 串行 闪存-NOR 存储器-SOIC-16
Cypress Semiconductor（赛普拉斯）
串行 SPI NOR 闪存存储器，Cypress Semiconductor高性能 低引脚计数四路 SPI（串行外围设备接口） ### 快闪存储器闪存 IC 是非易失 RAM，必须按块写入/擦除。 它有限定的写入周期的次数，适用于不经常更改的程序存储。
Cypress Semiconductor（赛普拉斯）
S25FL128S 系列 128 Mb (16 M x 8)3 V 133 MHz SPI 串行 闪存 - SOIC-16
Cypress Semiconductor（赛普拉斯）
串行 SPI NOR 闪存存储器，Cypress Semiconductor高性能 低引脚计数四路 SPI（串行外围设备接口） ### 快闪存储器闪存 IC 是非易失 RAM，必须按块写入/擦除。 它有限定的写入周期的次数，适用于不经常更改的程序存储。
Cypress Semiconductor（赛普拉斯）
FL-S 系列 128-Mb (16 M x 8) 3.6 V 表面贴装 MirrorBit® 闪存 - WSON-8
Spansion（飞索半导体）
SPANSION S25FL128P0XMFI001 芯片, 闪存, 128MB, 104MHZ, SOIC-16
Cypress Semiconductor（赛普拉斯）
FL-S 系列 128 Mb (16 M x 8) 3.6 V 表面贴装 SPI 闪存 - SOIC-16
Cypress Semiconductor（赛普拉斯）
闪存, 或非, 串行NOR, 128 Mbit, SPI, SOIC, 16 引脚
Cypress Semiconductor（赛普拉斯）
闪存, 或非, 串行NOR, 128 Mbit, SPI, BGA, 24 引脚
Cypress Semiconductor（赛普拉斯）
S25FL128P 系列 128 Mb (16M x 8) 3 V SPI 串行 闪存-NOR 存储器 - SOIC-16
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