| 类型 | 描述 |
|---|
| 安装方式 | Surface Mount |
| 引脚数 | 24 Pin |
| 封装 | BGA-24 |
| 针脚数 | 24 Position |
| 时钟频率 | 133 MHz |
| 存取时间(Max) | 8 ns |
| 工作温度(Max) | 85 ℃ |
| 工作温度(Min) | -40 ℃ |
| 电源电压 | 2.7V ~ 3.6V |
| 电源电压(Max) | 3.6 V |
| 电源电压(Min) | 2.7 V |
| 类型 | 描述 |
|---|
| 产品生命周期 | Unknown |
| 包装方式 | Tray |
| 工作温度 | -40℃ ~ 85℃ (TA) |
Cypress S25FL512S器件是一款闪存非易失性存储器产品, 采用: - MirrorBit技术 - 在每个存储器阵列晶体管上存储两数据位 - Eclipse结构 - 提高编程与擦除性能 - 65nm工艺光刻 该器件通过串行外设接口 (SPI)连接至主控系统. 支持传统SPI单位串行输入与输出 (单I/O或SIO), 以及可选两位 (双I/O或DIO) 与四位 (四I/O或QIO) 串行命令. 这个多宽度接口被称为SPI Multi-I/O或MIO. 此外, FL-S系列增加了双倍数据速率 (DDR)读取命令的支持, 用于SIO, DIO与QIO, 该命令可在时钟的两个边沿传输地址和读取数据.
Cypress Semiconductor（赛普拉斯）
140 页 / 13.42 MByte
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137 页 / 3.72 MByte
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S25FL512S 系列 512 Mb (64M x 8) 3 V SPI 串行 闪存-NOR 存储器 - SOIC-16
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FL-S 系列 512 M (64 M x 8) 3.6 V MirrorBit® 闪存 非易失性 存储器 - BGA-24
Cypress Semiconductor（赛普拉斯）
闪存, MirrorBit Eclipse架构, 串行NOR, 512 Mbit, 64M x 8位, SPI, SOIC, 16 引脚
Spansion（飞索半导体）
SPANSION S25FL512SAGMFI011 闪存, 或非, 512 Mbit, 133 MHz, SPI, SOIC, 16 引脚
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SPI NOR 闪存存储器，Cypress Semiconductor高性能 低引脚计数四路 SPI（串行外围设备接口） ### 快闪存储器闪存 IC 是非易失 RAM，必须按块写入/擦除。 它有限定的写入周期的次数，适用于不经常更改的程序存储。
Cypress Semiconductor（赛普拉斯）
闪存, 或非, 串行NOR, 512 Mbit, SPI, BGA, 24 引脚
Cypress Semiconductor（赛普拉斯）
闪存, 或非, 串行NOR, 512 Mbit, SPI, SOIC, 16 引脚
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闪存, MirrorBit Eclipse架构, 串行NOR, 512 Mbit, 64M x 8位, SPI, SOIC, 16 引脚
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