| 类型 | 描述 |
|---|
| 安装方式 | Surface Mount |
| 引脚数 | 48 Pin |
| 封装 | TSOP-48 |
| 供电电流 | 12 mA |
| 针脚数 | 48 Position |
| 位数 | 8, 16 Bit |
| 存取时间 | 70 ns |
| 内存容量 | 1000000 B |
| 存取时间(Max) | 70 ns |
| 工作温度(Max) | 85 ℃ |
| 工作温度(Min) | -40 ℃ |
| 电源电压 | 2.7V ~ 3.6V |
| 电源电压(Max) | 3.6 V |
| 电源电压(Min) | 2.7 V |
| 类型 | 描述 |
|---|
| 产品生命周期 | Unknown |
| 包装方式 | Tray |
| 工作温度 | -40℃ ~ 85℃ (TA) |
S29AL008J70TFI010是一款8MB CMOS引导扇区闪存, 被组织为1048576字节或524288字. 字宽数据在DQ15-DQ0上, 字节宽数据在DQ7-DQ0上. 器件使用标准系统3VCC电源, 在系统内进行编程. 该器件也可以在标准EPROM编程器中编程. 该器件提供高达70ns的访问时间, 允许高速微处理器无需等待状态即可运行. 为了消除总线争用, 器件具有独立的芯片启用 (CE#), 写入启用(WE#), 和输出启用(OE#)控制. 该器件只需要一个3V电源即可开始读写功能. 内部产生和调节的电压, 用于编程和擦除操作. S29AL008J完全兼容JEDEC单电源闪存标准命令集. 通过使用标准微处理器写入时序, 可将命令写入命令寄存器.
● 引导扇区设备
● 采用110nm工艺技术制造 - 与200nm S29AL008D完全兼容
● 安全硅扇区域
● 灵活的扇区架构
● 硬件方法锁定扇区, 以防止该扇区内的任何编程或擦除操作
● 发出多个编程命令时, 减少整体编程时间
● 引脚和软件与单电源闪存相互兼容
● 良好的无意写入保护
● 高性能
● 超低功耗
● 每扇区1000000周期耐久性 (典型值)
● 数据保留 - 20年 (典型值)
● 擦除暂停/擦除恢复
● Data#轮询与切换位
● 提供检测编程或擦除周期完成的硬件方法
● 硬件方法将设备重置为读取阵列数据
Cypress Semiconductor（赛普拉斯）
54 页 / 1.41 MByte
Cypress Semiconductor（赛普拉斯）
56 页 / 1.92 MByte
Cypress Semiconductor（赛普拉斯）
S29AL008J 系列 8 Mb (8M x 1) 3 V 引导扇区 NOR 闪存 - TSOP-48
Spansion（飞索半导体）
Spansion### 快闪存储器闪存 IC 是非易失 RAM，必须按块写入/擦除。 它有限定的写入周期的次数，适用于不经常更改的程序存储。
Cypress Semiconductor（赛普拉斯）
S29AL008J 系列 8 Mb (1M x 8/512K x 16) 70 ns CMOS 闪存 - TSOP-48
Cypress Semiconductor（赛普拉斯）
S29AL008X 系列 8 Mb (8M x 1) 3 V 引导扇区 NOR 闪存 - FBGA-48
Cypress Semiconductor（赛普拉斯）
闪存, 并行NOR, 8 Mbit, 1M x 8位 / 512K x 16位, 并行, TSOP, 48 引脚
Spansion（飞索半导体）
SPANSION S29AL008J70TFI010 闪存, 8 Mbit, 1M x 8位 / 512K x 16位, CFI, TSOP, 48 引脚
Spansion（飞索半导体）
SPANSION S29AL008J70BFI020 闪存, 8 Mbit, 1M x 8位 / 512K x 16位, CFI, FBGA, 48 引脚
Cypress Semiconductor（赛普拉斯）
S29AL008J: 8 Mb (1 M x 8位/512 K x 16位) CMOS 3 V 引导扇区 闪存
Cypress Semiconductor（赛普拉斯）
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