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S29GL01GS10FHI010 数据手册 (102 页)
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S29GL01GS10FHI010 技术参数、封装参数

S29GL01GS10FHI010 外形尺寸、物理参数、其它

S29GL01GS10FHI010 数据手册

Cypress Semiconductor(赛普拉斯)
102 页 / 1.44 MByte
Cypress Semiconductor(赛普拉斯)
109 页 / 2.32 MByte

S29GL01GS10 数据手册

Cypress Semiconductor(赛普拉斯)
GL-S 系列 1 Gb (64 M x 16) 3.6 V 100 ns 表面贴装 闪存 - TSOP-56
Spansion(飞索半导体)
Spansion### 快闪存储器闪存 IC 是非易失 RAM,必须按块写入/擦除。 它有限定的写入周期的次数,适用于不经常更改的程序存储。
Cypress Semiconductor(赛普拉斯)
闪存, 并行NOR, 1 Gbit, 64M x 16位, 并行, FBGA, 64 引脚
Spansion(飞索半导体)
SPANSION  S29GL01GS10DHI020  闪存, 或非, 1 Gbit, 64M x 16位, 并行, FBGA, 64 引脚
Spansion(飞索半导体)
SPANSION  S29GL01GS10DHI010  闪存, 1 Gbit, 64M x 16位, 并行, FBGA, 64 引脚
Cypress Semiconductor(赛普拉斯)
闪存, 或非, 并行NOR, 1 Gbit, 64M x 16位, 并行, TSOP, 56 引脚
Cypress Semiconductor(赛普拉斯)
闪存, 或非, 并行NOR, 1 Gbit, 64M x 16位, 并行, FBGA, 64 引脚
Spansion(飞索半导体)
SPANSION  S29GL01GS10TFI020  闪存, 或非, 1 Gbit, 64M x 16位, 并行, TSOP, 56 引脚
Cypress Semiconductor(赛普拉斯)
NOR闪存 Nor
Spansion(飞索半导体)
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