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S29GL512P11TFI010 数据手册 (82 页)
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S29GL512P11TFI010 技术参数、封装参数

S29GL512P11TFI010 外形尺寸、物理参数、其它

S29GL512P11TFI010 数据手册

Cypress Semiconductor(赛普拉斯)
82 页 / 0.98 MByte
Cypress Semiconductor(赛普拉斯)
51 页 / 0.64 MByte
Cypress Semiconductor(赛普拉斯)
82 页 / 0.88 MByte
Cypress Semiconductor(赛普拉斯)
1 页 / 0.77 MByte

S29GL512P11 数据手册

Spansion(飞索半导体)
SPANSION  S29GL512P11TFI010..  闪存芯片, NOR, 512Kb
Spansion(飞索半导体)
SPANSION  S29GL512P11TFI020.  闪存, 512 Mbit, TSOP, 56 引脚
Cypress Semiconductor(赛普拉斯)
Cypress Semiconductor (Spansion)### 快闪存储器闪存 IC 是非易失 RAM,必须按块写入/擦除。 它有限定的写入周期的次数,适用于不经常更改的程序存储。
Spansion(飞索半导体)
SPANSION  S29GL512P11FFI010  闪存, 或非, 512 Mbit, 64M x 8位 / 32M x 16位, 并行, FBGA, 64 引脚
Cypress Semiconductor(赛普拉斯)
闪存, 并行NOR, 512 Mbit, 32M x 16位, 并行, BGA, 64 引脚
Cypress Semiconductor(赛普拉斯)
Cypress Semiconductor(赛普拉斯)
闪存, 或非, 并行NOR, 512 Mbit, 64M x 8位 / 32M x 16位, 并行, FBGA, 64 引脚
Spansion(飞索半导体)
Cypress Semiconductor(赛普拉斯)
Spansion(飞索半导体)
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