| 类型 | 描述 |
|---|
| 安装方式 | Surface Mount |
| 引脚数 | 63 Pin |
| 电源电压 | 2.70V (min) |
| 封装 | BGA-63 |
| 供电电流 | 30 mA |
| 针脚数 | 63 Position |
| 存取时间 | 25 ns |
| 内存容量 | 128000000 B |
| 存取时间(Max) | 20 ns |
| 工作温度(Max) | 85 ℃ |
| 工作温度(Min) | -40 ℃ |
| 电源电压 | 3.3 V |
| 电源电压(Max) | 3.6 V |
| 电源电压(Min) | 2.7 V |
| 类型 | 描述 |
|---|
| 产品生命周期 | Active |
| 包装方式 | Tray |
| 长度 | 11 mm |
| 宽度 | 9 mm |
| 高度 | 1 mm |
| 工作温度 | 40℃ ~ 85℃ |
Spansion（飞索半导体）
80 页 / 1.87 MByte
Spansion（飞索半导体）
78 页 / 3.04 MByte
Spansion（飞索半导体）
4 页 / 0.15 MByte
Cypress Semiconductor（赛普拉斯）
S34ML01G1 系列 1 Gb (128M x 8) 3 V 嵌入式 NAND 闪存 - TSOP-48
Spansion（飞索半导体）
NAND 闪存，Spansion**Spansion** 闪存系列 (**ML NAND**) 在 3V 工作时提供高性能。 Spansion ML NAND 闪存产品的存储器大小跨度为 1Gb 至 4Gb。 SLC NAND 电池为您的嵌入式数据存储应用需求提供可靠的解决方案。 除此之外，NAND 闪存还带有并行接口，采用 TSOP 或 BGA 封装形式。 Spansion ML Nand 闪存组织格式范围： 128M x 8 位，64M x 16 位 - **S34ML01G100BHI000**，**S34ML01G100TFI000** 128M x 16 位，256M x 8 位 - **S34ML02G100BHI000**，**S34ML02G100TFI000** 256M x 16 位，512M x 8 位 - **S34ML04G100BHI000**，**S34ML04G100TFI000** ### NAND 闪存
Cypress Semiconductor（赛普拉斯）
S34ML01G1 系列 1 Gb (128M x 8) 3 V 表面贴装 嵌入式 NAND 闪存 - TSOP-48
Cypress Semiconductor（赛普拉斯）
S34ML 系列 1 Gb (128 M x 8) 3.3 V 表面贴装 NAND 闪存 - BGA-63
Spansion（飞索半导体）
SPANSION S34ML01G100BHI000 闪存, 与非, 1 Gbit, 128M x 8位, 并行, BGA, 63 引脚
Cypress Semiconductor（赛普拉斯）
NAND闪存 S34ML01G100BHI003 BGA-63
Spansion（飞索半导体）
SPANSION S34ML01G100TFI003 芯片, 闪存, 与非, 1GB, TSOP-48
Cypress Semiconductor（赛普拉斯）
Cypress Semiconductor（赛普拉斯）
Cypress Semiconductor（赛普拉斯）
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