Datasheet 搜索 > Flash芯片 > Cypress Semiconductor(赛普拉斯) > S34ML01G100BHI000 Datasheet 文档
S34ML01G100BHI000
来自 AiPCBA
S34ML01G100BHI000 数据手册 (80 页)
查看文档
或点击图片查看大图

S34ML01G100BHI000 技术参数、封装参数

S34ML01G100BHI000 外形尺寸、物理参数、其它

S34ML01G100BHI000 数据手册

Cypress Semiconductor(赛普拉斯)
80 页 / 1.87 MByte
Cypress Semiconductor(赛普拉斯)
73 页 / 1.84 MByte

S34ML01G100 数据手册

Cypress Semiconductor(赛普拉斯)
S34ML01G1 系列 1 Gb (128M x 8) 3 V 嵌入式 NAND 闪存 - TSOP-48
Spansion(飞索半导体)
NAND 闪存,Spansion**Spansion** 闪存系列 (**ML NAND**) 在 3V 工作时提供高性能。 Spansion ML NAND 闪存产品的存储器大小跨度为 1Gb 至 4Gb。 SLC NAND 电池为您的嵌入式数据存储应用需求提供可靠的解决方案。 除此之外,NAND 闪存还带有并行接口,采用 TSOP 或 BGA 封装形式。 Spansion ML Nand 闪存组织格式范围: 128M x 8 位,64M x 16 位 - **S34ML01G100BHI000**,**S34ML01G100TFI000** 128M x 16 位,256M x 8 位 - **S34ML02G100BHI000**,**S34ML02G100TFI000** 256M x 16 位,512M x 8 位 - **S34ML04G100BHI000**,**S34ML04G100TFI000** ### NAND 闪存
Cypress Semiconductor(赛普拉斯)
S34ML01G1 系列 1 Gb (128M x 8) 3 V 表面贴装 嵌入式 NAND 闪存 - TSOP-48
Cypress Semiconductor(赛普拉斯)
S34ML 系列 1 Gb (128 M x 8) 3.3 V 表面贴装 NAND 闪存 - BGA-63
Spansion(飞索半导体)
SPANSION  S34ML01G100BHI000  闪存, 与非, 1 Gbit, 128M x 8位, 并行, BGA, 63 引脚
Cypress Semiconductor(赛普拉斯)
NAND闪存 S34ML01G100BHI003 BGA-63
Spansion(飞索半导体)
SPANSION  S34ML01G100TFI003  芯片, 闪存, 与非, 1GB, TSOP-48
Cypress Semiconductor(赛普拉斯)
Cypress Semiconductor(赛普拉斯)
Cypress Semiconductor(赛普拉斯)
NAND闪存 Nand
器件 Datasheet 文档搜索
数据库涵盖高达 72,405,303 个元件的数据手册,每天更新 5,000 多个 PDF 文件

关联型号