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S34ML02G100BHI000
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S34ML02G100BHI000 数据手册 (77 页)
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S34ML02G100BHI000 技术参数、封装参数

S34ML02G100BHI000 外形尺寸、物理参数、其它

S34ML02G100BHI000 数据手册

Cypress Semiconductor(赛普拉斯)
77 页 / 3.48 MByte
Cypress Semiconductor(赛普拉斯)
32 页 / 0.51 MByte
Cypress Semiconductor(赛普拉斯)
4 页 / 0.15 MByte

S34ML02G100 数据手册

Cypress Semiconductor(赛普拉斯)
ML-1 系列 2 Gb (256 M x 8) 3 V 表面贴装 嵌入式 NAND 闪存 - TSOP-48
Cypress Semiconductor(赛普拉斯)
S34ML02G 系列 2 G位 (256M x 8) 3 V 表面贴装 嵌入式 NAND 闪存 - VFBGA-63
Spansion(飞索半导体)
SPANSION  S34ML02G100TFI000  闪存, 与非, 2 Gbit, 256M x 8位, ONFI, TSOP, 48 引脚
Spansion(飞索半导体)
SPANSION  S34ML02G100BHI000  闪存, 与非, 2 Gbit, 256M x 8位, 并行, BGA, 63 引脚
Cypress Semiconductor(赛普拉斯)
ML-1 系列 2 Gb (256 M x 8) 3 V 表面贴装 嵌入式 NAND 闪存 - TSOP-48
Cypress Semiconductor(赛普拉斯)
NAND闪存 S34ML02G100BHI003 BGA-63
Cypress Semiconductor(赛普拉斯)
Spansion(飞索半导体)
Cypress Semiconductor(赛普拉斯)
Cypress Semiconductor(赛普拉斯)
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