| 类型 | 描述 |
|---|
| 安装方式 | Surface Mount |
| 引脚数 | 48 Pin |
| 电源电压 | 2.70V (min) |
| 封装 | TSOP-48 |
| 供电电流 | 30 mA |
| 针脚数 | 48 Position |
| 位数 | 8 Bit |
| 存取时间 | 25 ns |
| 内存容量 | 256000000 B |
| 工作温度(Max) | 85 ℃ |
| 工作温度(Min) | -40 ℃ |
| 电源电压 | 2.7V ~ 3.6V |
| 电源电压(Max) | 3.6 V |
| 电源电压(Min) | 2.7 V |
| 类型 | 描述 |
|---|
| 产品生命周期 | Unknown |
| 包装方式 | Each |
| 长度 | 18.5 mm |
| 宽度 | 12.1 mm |
| 高度 | 1.05 mm |
| 工作温度 | -40℃ ~ 85℃ (TA) |
S34ML04G200TFI000是一款4GB SLC NAND闪存, 用于嵌入式应用. 可选3.3VCC和VCCQ电源供电, 并具有x8或x16 I/O接口. 内存被分成可以独立擦除的块, 因此可以在旧数据擦除时保留有效数据. x8页大小为 (2048+备用)字节, x16为 (1024+备用)字. 该芯片支持CE# don"t care功能. 该功能允许微控制器直接从NAND闪存设备下载代码, CE# transitions不会停止READ操作. 该设备具有读取缓存功能, 可以提高大文件的读取吞吐量. 在高速缓存读取期间, 设备将数据加载至高速缓存寄存器中, 而将先前的数据传输至I/O缓冲区以便读取. 在多平面操作中, 页中的数据可以在每字节25ns周期时间读出. I/O引脚用作命令和地址输入端口, 以及数据输入/输出端口.
● OPEN NAND闪存接口1.0兼容
● 地址, 数据与命令复用
● 安全性 - 一次性可编程 (OTP)区域
● 在电源转换期间禁用硬件编程/清除
● 支持Multiplane编程与清除命令
● 支持Copy-Back编程
● 电子签名 - 制造商ID为01h
● Page read/program
● 存储块清除/多平面清除 - 块清除时间为3.5ms (典型值)
● 可靠性 - 数据保留10年(典型值)
● 零与一块有效, 并且通过ECC保持至少1000 program-erase周期有效
Cypress Semiconductor（赛普拉斯）
57 页 / 5.78 MByte
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126 页 / 1.34 MByte
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4 页 / 0.15 MByte
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S34ML04G2 系列 4 Gb (512M x 8) 3 V 嵌入式 NAND 闪存 - TSOP-48
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芯片, 闪存 存储器, 2048 MB, 25 NS, 63-BGA
Spansion（飞索半导体）
SPANSION S34ML04G200BHI000 闪存, 与非, 4 Gbit, 512M x 8位, 并行, BGA, 63 引脚
Spansion（飞索半导体）
SPANSION S34ML04G200TFI000. 芯片, 闪存, 4GBIT, 25NS, 48TSOP
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