类型 | 描述 |
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安装方式 | Surface Mount |
封装 | SOT-23 |
极性 | PNP |
击穿电压(集电极-发射极) | 45 V |
集电极最大允许电流 | 100mA |
最小电流放大倍数 | 200 |
最大电流放大倍数 | 1000 |
集电极-基极反向击穿电压V(BR)CBOCollector-Base Voltage(VCBO)| -50V \---|--- 集电极-发射极反向击穿电压V(BR)CEOCollector-Emitter Voltage(VCEO)| −45V 集电极连续输出电流ICCollector Current(IC)| −100mA/-0.1A 截止频率fTTranstion Frequency(fT)| 直流电流增益hFEDC Current Gain(hFE)| 200~1000 管压降VCE(sat)Collector-Emitter SaturationVoltage| -300mV/-0.3V 耗散功率PcPoWer Dissipation| 200mW/0.2W Description & Applications| Silicon Epitaxial Planar Transistor FEATURES Complementary To S9014. Lead-free Excellent HFE Linearity. APPLICATIONS Low frequency , low noise amplifier. 描述与应用| 硅外延平面晶体管 特点 互补S9014。 无铅 优秀HFE线性。 应用 低频率,低噪声放大器。
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