类型 | 描述 |
---|
安装方式 | Through Hole |
引脚数 | 2 Pin |
封装 | TO-220-2 |
正向电压 | 1.55V @20A |
功耗 | 40 W |
反向恢复时间 | 0 ns |
正向电流 | 20 A |
最大正向浪涌电流 | 260 A |
正向电压(Max) | 1.63 V |
正向电流(Max) | 20 A |
工作温度(Max) | 175 ℃ |
工作温度(Min) | -55 ℃ |
工作结温 | 175℃ (Max) |
工作结温(Max) | 175 ℃ |
耗散功率(Max) | 40000 mW |
类型 | 描述 |
---|
产品生命周期 | Active |
包装方式 | Tube |
长度 | 10.16 mm |
宽度 | 4.7 mm |
高度 | 15.87 mm |
工作温度 | -55℃ ~ 175℃ |
SiC 肖特基势垒二极管,ROHM
●Silicon Carbide (SiC) 肖特基势垒二极管的总电容电荷较小,可减少切换损耗,实现高速切换操作。
ROHM Semiconductor(罗姆半导体)
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ROHM Semiconductor(罗姆半导体)
ROHM SCS220KE2C 二极管, 碳化硅肖特基, 屏障, 1200V系列, 双共阴极, 1.2 kV, 20 A, 34 nC, TO-247
ROHM Semiconductor(罗姆半导体)
ROHM SCS220AE2C 二极管, 碳化硅肖特基, 屏障, 650V系列, 双共阴极, 650 V, 20 A, 15 nC, TO-247
ROHM Semiconductor(罗姆半导体)
SiC 肖特基势垒二极管,ROHMSilicon Carbide (SiC) 肖特基势垒二极管的总电容电荷较小,可减少切换损耗,实现高速切换操作。### 二极管和整流器,ROHM
ROHM Semiconductor(罗姆半导体)
SiC 肖特基势垒二极管,ROHMSilicon Carbide (SiC) 肖特基势垒二极管的总电容电荷较小,可减少切换损耗,实现高速切换操作。### 二极管和整流器,ROHM Semiconductor
ROHM Semiconductor(罗姆半导体)
ROHM SCS220KGC 二极管, 碳化硅肖特基, 屏障, 1200V系列, 单, 1.2 kV, 20 A, 65 nC, TO-220AC
ROHM Semiconductor(罗姆半导体)
ROHM SCS220AMC 二极管, 碳化硅肖特基, 650V系列, 单, 650 V, 20 A, 31 nC, TO-220FM
ROHM Semiconductor(罗姆半导体)
ROHM Semiconductor(罗姆半导体)
ROHM SCS220AEC 二极管, 碳化硅肖特基, 650V系列, 单, 650 V, 20 A, 31 nC, TO-247
ROHM Semiconductor(罗姆半导体)
ROHM SCS220KE2HR 二极管, 碳化硅肖特基, AEC-Q101 1200V系列, 双共阴极, 1.2 kV, 20 A, 34 nC, TO-247
ROHM Semiconductor(罗姆半导体)
二极管, 碳化硅肖特基, AEC-Q101 650V系列, 单, 650 V, 20 A, 31 nC, TO-220AC
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