| 类型 | 描述 |
|---|
| 引脚数 | 3 Pin |
| 封装 | TO-3 |
| 极性 | N-CH |
| 漏源极电压(Vds) | 1700 V |
| 连续漏极电流(Ids) | 3.7A |
| 上升时间 | 21 ns |
| 输入电容值(Ciss) | 184pF @800V(Vds) |
| 下降时间 | 74 ns |
| 工作温度(Max) | 175 ℃ |
| 工作温度(Min) | -55 ℃ |
| 耗散功率(Max) | 35000 mW |
ROHM Semiconductor（罗姆半导体）
ROHM SCT2H12NZGC11 功率场效应管, MOSFET, 碳化硅 (SiC), N沟道, 3.7 A, 1.7 kV, 1.15 ohm, 18 V, 2.8 V
ROHM Semiconductor（罗姆半导体）
碳化硅功率MOSFET, N沟道, 4 A, 1.7 kV, 1.15欧姆, 18V, 2.8 V
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