| 类型 | 描述 |
|---|
| 安装方式 | Through Hole |
| 引脚数 | 3 Pin |
| 封装 | TO-247-3 |
| 通道数 | 1 Channel |
| 针脚数 | 3 Position |
| 漏源极电阻 | 30 mΩ |
| 功耗 | 262 W |
| 阈值电压 | 5.6 V |
| 漏源极电压(Vds) | 650 V |
| 漏源击穿电压 | 650 V |
| 上升时间 | 41 ns |
| 输入电容值(Ciss) | 1526pF @500V(Vds) |
| 下降时间 | 27 ns |
| 工作温度(Max) | 175 ℃ |
| 工作温度(Min) | 55 ℃ |
| 耗散功率(Max) | 262W (Tc) |
| 类型 | 描述 |
|---|
| 产品生命周期 | Active |
| 包装方式 | Tube |
| 工作温度 | 175℃ (TJ) |
通孔 N 通道 650 V 70A（Tc） 262W（Tc） TO-247N
ROHM Semiconductor（罗姆半导体）
15 页 / 1.06 MByte
ROHM Semiconductor（罗姆半导体）
15 页 / 1.06 MByte
ROHM Semiconductor（罗姆半导体）
41 页 / 0.88 MByte
ROHM Semiconductor（罗姆半导体）
3 页 / 0.26 MByte
ROHM Semiconductor（罗姆半导体）
SCT3030AL 系列 650 V 70 A 39 mOhm N-沟道 SiC 功率 Mosfet - TO-247N
ROHM Semiconductor（罗姆半导体）
SCT3030KL 系列 1200 V 72 A 39 mOhm N-沟道 SiC 功率 Mosfet - TO-247N
ROHM Semiconductor（罗姆半导体）
晶体管, MOSFET, SiC, N沟道, 70 A, 650 V, 0.03 ohm, 18 V, 5.6 V
ROHM Semiconductor（罗姆半导体）
ROHM Semiconductor（罗姆半导体）
器件 Datasheet 文档搜索
数据库涵盖高达 72,405,303 个元件的数据手册，每天更新 5,000 多个 PDF 文件
