| 类型 | 描述 |
|---|
| 封装 | TO-247 |
| 针脚数 | 4 Position |
| 漏源极电阻 | 0.06 Ω |
| 功耗 | 165 W |
| 阈值电压 | 5.6 V |
| 漏源极电压(Vds) | 650 V |
| 上升时间 | 14 ns |
| 输入电容值(Ciss) | 852pF @500V(Vds) |
| 下降时间 | 13 ns |
| 工作温度(Max) | 175 ℃ |
| 工作温度(Min) | -55 ℃ |
通孔 N 通道 39A（Tc） 165W TO-247-4L
ROHM Semiconductor（罗姆半导体）
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ROHM Semiconductor（罗姆半导体）
SCT3060AL 系列 650 V 39 A 78 mOhm N-沟道 SiC 功率 Mosfet - TO-247N
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晶体管, MOSFET, SiC, N沟道, 39 A, 650 V, 0.06 ohm, 18 V, 5.6 V
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