| 类型 | 描述 |
|---|
| 封装 | TO-247-4 |
| 针脚数 | 4 Position |
| 漏源极电阻 | 0.08 Ω |
| 功耗 | 165 W |
| 阈值电压 | 5.6 V |
| 漏源极电压(Vds) | 1.2 kV |
| 上升时间 | 13 ns |
| 输入电容值(Ciss) | 785pF @800V(Vds) |
| 下降时间 | 12 ns |
| 工作温度(Max) | 175 ℃ |
| 工作温度(Min) | -55 ℃ |
| 耗散功率(Max) | 165 W |
| 类型 | 描述 |
|---|
| 产品生命周期 | Active |
| 包装方式 | Tube |
| 工作温度 | 175℃ (TJ) |
ROHM Semiconductor（罗姆半导体）
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ROHM Semiconductor（罗姆半导体）
SCT3080KL 系列 1200 V 31 A 104 mOhm N-沟道 SiC 功率 Mosfet - TO-247N
ROHM Semiconductor（罗姆半导体）
碳化硅功率MOSFET, N沟道, 30 A, 650 V, 0.08欧姆, 18V, 5.6 V
ROHM Semiconductor（罗姆半导体）
晶体管, MOSFET, SiC, N沟道, 31 A, 1.2 kV, 0.08 ohm, 18 V, 5.6 V
ROHM Semiconductor（罗姆半导体）
晶体管, MOSFET, SiC, N沟道, 30 A, 650 V, 0.08 ohm, 18 V, 5.6 V
ROHM Semiconductor（罗姆半导体）
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