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SCT3160KLGC11
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SCT3160KLGC11 数据手册 - ROHM Semiconductor（罗姆半导体）

制造商:ROHM Semiconductor（罗姆半导体）
分类:MOS管
封装:TO-247-3
描述:SCT3160KL 系列 1200 V 17 A 208 mOhm N-沟道 SiC 功率 Mosfet - TO-247N
PDF文件:SCT3160KLGC11 数据手册 (15 页)
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SCT3160KLGC11 数据手册 (15 页)
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SCT3160KLGC11 技术参数、封装参数

类型描述
安装方式Through Hole
引脚数3 Pin
封装TO-247-3
通道数1 Channel
针脚数3 Position
漏源极电阻160 mΩ
功耗103 W
阈值电压5.6 V
漏源极电压(Vds)1200 V
漏源击穿电压1200 V
上升时间18 ns
输入电容值(Ciss)398pF @800V(Vds)
下降时间25 ns
工作温度(Max)175 ℃
工作温度(Min)55 ℃
耗散功率(Max)103W (Tc)
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SCT3160KLGC11 外形尺寸、物理参数、其它

类型描述
产品生命周期Active
包装方式Tube
工作温度175℃ (TJ)
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SCT3160KLGC11 数据手册

SCT3160KLGC11 数据手册
ROHM Semiconductor（罗姆半导体）
15 页 / 1.07 MByte
SCT3160KLGC11 其他数据使用手册
ROHM Semiconductor（罗姆半导体）
15 页 / 1.07 MByte
SCT3160KLGC11 开发手册
ROHM Semiconductor（罗姆半导体）
41 页 / 0.88 MByte

SCT3160 数据手册

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