| 类型 | 描述 |
|---|
| 安装方式 | Through Hole |
| 引脚数 | 3 Pin |
| 封装 | TO-247-3 |
| 针脚数 | 3 Position |
| 漏源极电阻 | 0.052 Ω |
| 功耗 | 318 W |
| 阈值电压 | 3 V |
| 漏源极电压(Vds) | 1200 V |
| 输入电容值(Ciss) | 1900pF @400V(Vds) |
| 工作温度(Max) | 200 ℃ |
| 工作温度(Min) | -55 ℃ |
| 耗散功率(Max) | 318000 mW |
| 类型 | 描述 |
|---|
| 产品生命周期 | Active |
| 包装方式 | Tube |
| 工作温度 | -55℃ ~ 200℃ (TJ) |
通孔 N 通道 65A（Tc） 318W（Tc） HiP247™
ST Microelectronics（意法半导体）
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N-沟道 1200 V 59 mΩ 122 nC 碳化硅 功率 Mosfet - HiP247
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