类型 | 描述 |
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安装方式 | Screw |
频率 | 30 MHz |
引脚数 | 4 Pin |
额定电压(DC) | 125 V |
额定电流 | 6 A |
封装 | M-113 |
极性 | N-Channel |
功耗 | 175 W |
输入电容 | 58 pF |
漏源极电压(Vds) | 5 V |
漏源击穿电压 | 125 V |
栅源击穿电压 | ±20.0 V |
连续漏极电流(Ids) | 6.00 A |
输出功率 | 30 W |
增益 | 22 dB |
测试电流 | 100 mA |
输入电容值(Ciss) | 58pF @50V(Vds) |
工作温度(Max) | 200 ℃ |
工作温度(Min) | -65 ℃ |
耗散功率(Max) | 175000 mW |
额定电压 | 125 V |
类型 | 描述 |
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产品生命周期 | Active |
包装方式 | Tube |
长度 | 24.89 mm |
工作温度 | -65℃ ~ 200℃ |
RF Mosfet N 通道 50 V 100 mA 30MHz 22dB 30W M113
ST Microelectronics(意法半导体)
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