| 类型 | 描述 |
|---|
| 安装方式 | Surface Mount |
| 频率 | 175 MHz |
| 引脚数 | 4 Pin |
| 额定电流 | 20 A |
| 封装 | M-174 |
| 针脚数 | 4 Position |
| 功耗 | 389 W |
| 漏源极电压(Vds) | 125 V |
| 输出功率 | 150 mW |
| 增益 | 15 dB |
| 测试电流 | 250 mA |
| 输入电容值(Ciss) | 480pF @50V(Vds) |
| 工作温度(Max) | 150 ℃ |
| 工作温度(Min) | -65 ℃ |
| 耗散功率(Max) | 389000 mW |
| 额定电压 | 125 V |
| 类型 | 描述 |
|---|
| 产品生命周期 | Active |
| 包装方式 | Bulk |
| 长度 | 26.67 mm |
| 宽度 | 24.89 mm |
| 高度 | 4.11 mm |
| 工作温度 | -65℃ ~ 200℃ |
射频 MOSFET 晶体管，STMicroelectronics
●射频晶体管为 LDMOS，适用于范围为 1 MHz 至 2 GHz 应用中的 L 频段卫星上行链路和 DMOS 功率晶体管。
●### MOSFET 晶体管，STMicroelectronics
ST Microelectronics（意法半导体）
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ST Microelectronics（意法半导体）
射频功率晶体管HF / VHF / UHF N沟道MOSFET RF POWER TRANSISTORS HF/VHF/UHF N-CHANNEL MOSFETs
ST Microelectronics（意法半导体）
ST Microelectronics（意法半导体）
STMICROELECTRONICS SD2931-10W 晶体管, 射频FET, 125 V, 20 A, 389 W, 230 MHz, M174
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