类型 | 描述 |
---|
频率 | 175 MHz |
引脚数 | 5 Pin |
封装 | M-244 |
功耗 | 500000 mW |
输出功率 | 300 W |
增益 | 16 dB |
测试电流 | 500 mA |
输入电容值(Ciss) | 480pF @50V(Vds) |
工作温度(Max) | 150 ℃ |
工作温度(Min) | -65 ℃ |
耗散功率(Max) | 500000 mW |
额定电压 | 125 V |
类型 | 描述 |
---|
产品生命周期 | Unknown |
包装方式 | Tube |
高度 | 5.84 mm |
ST Microelectronics(意法半导体)
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ST Microelectronics(意法半导体)
射频功率晶体管HF / VHF / UHF N沟道MOSFET RF power transistors HF/VHF/UHF N-channel MOSFETs
Advanced Semiconductor
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 RF Transistor
ST Microelectronics(意法半导体)
SD2932 系列 250 MHz 300W 125V N-沟道 高频/甚高频/特高频 射频 功率晶体管 - M-244
ST Microelectronics(意法半导体)
ST Microelectronics(意法半导体)
射频功率晶体管HF / VHF / UHF N沟道MOSFET RF power transistors HF/VHF/UHF N-channel MOSFETs
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