| 类型 | 描述 |
|---|
| 安装方式 | Screw |
| 频率 | 30 MHz |
| 引脚数 | 5 Pin |
| 封装 | M-177 |
| 功耗 | 648000 mW |
| 漏源极电压(Vds) | 125 V |
| 输出功率 | 300 W |
| 增益 | 23.5 dB |
| 测试电流 | 250 mA |
| 输入电容值(Ciss) | 1000pF @50V(Vds) |
| 工作温度(Max) | 200 ℃ |
| 工作温度(Min) | -65 ℃ |
| 耗散功率(Max) | 648000 mW |
| 额定电压 | 125 V |
ST Microelectronics（意法半导体）
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ST Microelectronics（意法半导体）
射频功率晶体管HF / VHF / UHF N沟道MOSFET RF POWER TRANSISTORS HF/VHF/UHF N-CHANNEL MOSFETs
Advanced Semiconductor
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 RF Transistor
ST Microelectronics（意法半导体）
ST Microelectronics（意法半导体）
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 HF/VHF/UHF RF N-Ch 300W 15dB 175MHz
ST Microelectronics（意法半导体）
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