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SGB02N60
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SGB02N60 数据手册 - Infineon（英飞凌）

制造商:Infineon（英飞凌）
分类:IGBT晶体管
封装:TO-263-3
描述:在NPT技术降低75 ％的Eoff快速IGBT相比上一代 Fast IGBT in NPT-technology 75% lower Eoff compared to previous generation
PDF文件:SGB02N60 数据手册 (11 页)
Pictures:
符号图
焊盘图
引脚图
产品图

SGB02N60 技术参数、封装参数

类型描述
安装方式Surface Mount
引脚数3 Pin
封装TO-263-3
击穿电压(集电极-发射极)600 V
额定功率(Max)30 W
工作温度(Max)150 ℃
工作温度(Min)-55 ℃
耗散功率(Max)30000 mW
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SGB02N60 外形尺寸、物理参数、其它

类型描述
产品生命周期Obsolete
包装方式Tape & Reel (TR)
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SGB02N60 数据手册

SGB02N60 数据手册
Infineon（英飞凌）
11 页 / 0.79 MByte
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