| 类型 | 描述 |
|---|
| 安装方式 | Through Hole |
| 引脚数 | 3 Pin |
| 封装 | TO-220-3 |
| 额定功率 | 198 W |
| 击穿电压(集电极-发射极) | 1200 V |
| 额定功率(Max) | 198 W |
| 类型 | 描述 |
|---|
| 产品生命周期 | Not Recommended for New Design |
| 包装方式 | Tube |
| 长度 | 10 mm |
| 宽度 | 4.4 mm |
| 高度 | 9.25 mm |
| 工作温度 | -55℃ ~ 150℃ |
Infineon（英飞凌）
12 页 / 0.32 MByte
Infineon（英飞凌）
270 页 / 11.59 MByte
Infineon（英飞凌）
73 页 / 2.93 MByte
Infineon（英飞凌）
48 页 / 2 MByte
Infineon（英飞凌）
在NPT技术降低40 ％的Eoff快速IGBT相比上一代 Fast IGBT in NPT-technology 40% lower Eoff compared to previous generation
Infineon（英飞凌）
单晶体管, IGBT, NPT, 30 A, 3.1 V, 198 W, 1.2 kV, TO-220, 3 引脚
Infineon（英飞凌）
在NPT技术的快速IGBT Fast IGBT in NPT-technology
Infineon（英飞凌）
在NPT技术降低40 ％的Eoff快速IGBT相比上一代 Fast IGBT in NPT-technology 40% lower Eoff compared to previous generation
Fairchild（飞兆/仙童）
短路额定IGBT Short Circuit Rated IGBT
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