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SGP20N60HS
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SGP20N60HS 数据手册 - Infineon（英飞凌）

制造商:Infineon（英飞凌）
分类:IGBT晶体管
封装:TO-220-3
描述:高速IGBT在NPT技术下的Eoff 30 ％，相比上一代 High Speed IGBT in NPT-technology 30% lower Eoff compared to previous generation
PDF文件:SGP20N60HS 数据手册 (12 页)
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SGP20N60HS 数据手册 (12 页)
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SGP20N60HS 技术参数、封装参数

类型描述
安装方式Through Hole
引脚数3 Pin
封装TO-220-3
击穿电压(集电极-发射极)600 V
额定功率(Max)178 W
工作温度(Max)150 ℃
工作温度(Min)55 ℃
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SGP20N60HS 外形尺寸、物理参数、其它

类型描述
产品生命周期Active
包装方式Tube
长度10.36 mm
宽度4.57 mm
高度9.45 mm
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SGP20N60HS 数据手册

SGP20N60HS 数据手册
Infineon（英飞凌）
12 页 / 0.34 MByte
SGP20N60HS 其他数据使用手册
Infineon（英飞凌）
13 页 / 0.32 MByte

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在NPT技术降低75 ％的Eoff快速IGBT相比上一代 Fast IGBT in NPT-technology 75% lower Eoff compared to previous generation
SGP20N60HS 数据手册
Infineon（英飞凌）
高速IGBT在NPT技术下的Eoff 30 ％，相比上一代 High Speed IGBT in NPT-technology 30% lower Eoff compared to previous generation
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