| 类型 | 描述 |
|---|
| 安装方式 | Through Hole |
| 引脚数 | 3 Pin |
| 封装 | TO-247-3 |
| 额定功率 | 250 W |
| 针脚数 | 3 Position |
| 极性 | N-Channel |
| 功耗 | 250 W |
| 上升时间 | 35.0 ns |
| 击穿电压(集电极-发射极) | 600 V |
| 额定功率(Max) | 250 W |
| 工作温度(Max) | 150 ℃ |
| 工作温度(Min) | -55 ℃ |
| 类型 | 描述 |
|---|
| 产品生命周期 | Not Recommended for New Design |
| 包装方式 | Tube |
| 长度 | 15.9 mm |
| 宽度 | 5.3 mm |
| 高度 | 20.95 mm |
| 工作温度 | -55℃ ~ 150℃ |
Infineon 分离式 IGBT 晶体管
●Infineon 分离式 IGBT 晶体管提供各种技术，如 NPT、Trenchstop™ 和 Fieldstop。它们可用于需要硬切换或软切换的许多应用，包括工业驱动器、UPS、变频器、家用电器和感应炉灶。一些器件包括反并联二极管或单片集成二极管。
●### IGBT 分立件和模块，Infineon
●绝缘栅级双极性晶体管或 IGBT 是一种三端子功率半导体设备，以高效和快速切换著称。 IGBT 通过将用于控制输入的隔离栅极 FET 和用作开关的双极性功率晶体管组合在单个设备中，将 MOSFET 的简单栅极驱动特性与双极性晶体管的高电流和低饱和电压能力组合在一起。
Infineon（英飞凌）
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Infineon（英飞凌）
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Infineon（英飞凌）
INFINEON SGW30N60 单晶体管, IGBT, 41 A, 2.4 V, 250 W, 600 V, TO-247AC, 3 引脚
Infineon（英飞凌）
INFINEON SGW30N60FKSA1 单晶体管, IGBT, 41 A, 2.4 V, 250 W, 600 V, TO-247AC, 3 引脚
Infineon（英飞凌）
INFINEON SGW30N60HS 单晶体管, IGBT, 通用, 41 A, 3.15 V, 250 W, 600 V, TO-247, 3 引脚
Infineon（英飞凌）
INFINEON SGW30N60HSFKSA1 单晶体管, IGBT, 通用, 41 A, 3.15 V, 250 W, 600 V, TO-247, 3 引脚
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