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SH8K32TB1
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SH8K32TB1 数据手册 - ROHM Semiconductor（罗姆半导体）

制造商:ROHM Semiconductor（罗姆半导体）
分类:MOS管
封装:SOIC-8
描述:2个N沟道 60V 4.5A
PDF文件:SH8K32TB1 数据手册 (5 页)
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SH8K32TB1 技术参数、封装参数

类型描述
安装方式Surface Mount
封装SOIC-8
漏源极电阻55 mΩ
功耗2 W
漏源极电压(Vds)60 V
漏源击穿电压60 V
上升时间18 ns
输入电容值(Ciss)500pF @10V(Vds)
额定功率(Max)2 W
下降时间13 ns
工作温度(Max)150 ℃
耗散功率(Max)2 W
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SH8K32TB1 外形尺寸、物理参数、其它

类型描述
产品生命周期Not Recommended for New Designs
包装方式Tape & Reel (TR)
工作温度150℃ (TJ)
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SH8K32TB1 数据手册

SH8K32TB1 数据手册
ROHM Semiconductor（罗姆半导体）
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2个N沟道 60V 4.5A
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双路场效应管, MOSFET, 双N沟道, 4.5 A, 60 V, 0.046 ohm, 10 V, 2.5 V
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