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SH8M24GZETB
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SH8M24GZETB 数据手册 - ROHM Semiconductor（罗姆半导体）

制造商:ROHM Semiconductor（罗姆半导体）
分类:MOS管
封装:SOP-8
描述:双路场效应管, MOSFET, N和P沟道, 6 A, 45 V, 0.033 ohm, 10 V, 10 V
PDF文件:SH8M24GZETB 数据手册 (5 页)
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SH8M24GZETB 技术参数、封装参数

类型描述
安装方式Surface Mount
封装SOP-8
针脚数8 Position
漏源极电阻0.033 Ω
极性N-Channel, P-Channel
功耗3.1 W
阈值电压10 V
漏源极电压(Vds)45 V
工作温度(Max)150 ℃
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SH8M24GZETB 外形尺寸、物理参数、其它

类型描述
产品生命周期Active
工作温度150℃ (TJ)
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SH8M24GZETB 数据手册

SH8M24GZETB 数据手册
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