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SH8M41GZETB
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SH8M41GZETB 数据手册 - ROHM Semiconductor（罗姆半导体）

制造商:ROHM Semiconductor（罗姆半导体）
分类:晶体管
封装:SOP-8
描述:双路场效应管, MOSFET, N和P沟道, 3.4 A, 80 V, 0.09 ohm, 10 V, 2.5 V
PDF文件:SH8M41GZETB 数据手册 (9 页)
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SH8M41GZETB 技术参数、封装参数

类型描述
安装方式Surface Mount
引脚数8 Pin
封装SOP-8
针脚数8 Position
漏源极电阻0.09 Ω
极性N-Channel, P-Channel
功耗2 W
阈值电压2.5 V
漏源极电压(Vds)80 V
连续漏极电流(Ids)3.4A/2.6A
输入电容值(Ciss)600pF @10V(Vds)
额定功率(Max)2 W
工作温度(Max)150 ℃
工作温度(Min)-55 ℃
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SH8M41GZETB 外形尺寸、物理参数、其它

类型描述
产品生命周期Active
包装方式Tape & Reel (TR)
工作温度150℃ (TJ)
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SH8M41GZETB 数据手册

SH8M41GZETB 数据手册
ROHM Semiconductor（罗姆半导体）
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