| 类型 | 描述 |
|---|
| 封装 | SC-75 |
| 极性 | P-CH |
| 漏源极电压(Vds) | 20 V |
| 连续漏极电流(Ids) | 0.14A |
最大源漏极电压VdsDrain-Source Voltage| -20V \---|--- 最大栅源极电压Vgs(±)Gate-Source Voltage| 6V 最大漏极电流IdDrain Current| -0.15A 源漏极导通电阻RdsDrain-Source On-State Resistance| 8Ω @-150mA,-4.5V 开启电压Vgs（th）Gate-Source Threshold Voltage| -0.4--1.2V 耗散功率PdPower Dissipation| 280mW/0.28W Description & Applications| FEATURES • Halogen-free Option Available • High-Side Switching • Low On-Resistance: 8 Ω • Low Threshold: 0.9 V (typ.) • Fast Switching Speed: 45 ns • TrenchFET Power MOSFETs: 1.5-V Rated • ESD Protected: 2000 V 描述与应用| •无卤股权 •高边开关 •低导通电阻：8Ω •低阈值：0.9V（典型值） •开关速度快：45 ns的 •的TrenchFET 功率MOSFET：1.5 V额定 •ESD保护：2000 V
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P通道20 -V （D -S ）的MOSFET P-Channel 20-V (D-S) MOSFET
Vishay Semiconductor（威世）
VISHAY SI1031R-T1-GE3. 晶体管, MOSFET, P沟道, 140 mA, -20 V, 20 ohm, -4.5 V, -1.2 V
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