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SI1563DH-T1-E3
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SI1563DH-T1-E3 数据手册 - Vishay Semiconductor（威世）

制造商:Vishay Semiconductor（威世）
分类:MOS管
封装:SC-70-6
描述:VISHAY  SI1563DH-T1-E3  双路场效应管, MOSFET, N和P沟道, 1.28 A, 20 V, 0.22 ohm, 4.5 V, 1 V
PDF文件:SI1563DH-T1-E3 数据手册 (14 页)
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SI1563DH-T1-E3 数据手册 (14 页)
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SI1563DH-T1-E3 技术参数、封装参数

类型描述
安装方式Surface Mount
引脚数6 Pin
封装SC-70-6
针脚数6 Position
漏源极电阻0.22 Ω
极性N-Channel, P-Channel
功耗740 mW
阈值电压1 V
漏源极电压(Vds)20 V
漏源击穿电压20.0 V
连续漏极电流(Ids)1.13 A, 1.28 A
下降时间12 ns
工作温度(Max)150 ℃
工作温度(Min)-55 ℃
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SI1563DH-T1-E3 外形尺寸、物理参数、其它

类型描述
包装方式Cut Tape (CT)
工作温度-55℃ ~ 150℃
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SI1563DH-T1-E3 数据手册

SI1563DH-T1-E3 数据手册
Vishay Semiconductor（威世）
14 页 / 0.27 MByte
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