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SI2300DS-T1-GE3
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SI2300DS-T1-GE3 数据手册 - Vishay Intertechnology

制造商:Vishay Intertechnology
封装:SOT-23-3
PDF文件:SI2300DS-T1-GE3 数据手册 (7 页)
Pictures:
符号图
焊盘图
引脚图
产品图

SI2300DS-T1-GE3 技术参数、封装参数

类型描述
安装方式Surface Mount
引脚数3 Pin
封装SOT-23-3
通道数1 Channel
漏源极电阻0.055 Ω
功耗1.7 W
阈值电压0.6 V
漏源极电压(Vds)30 V
工作温度(Max)150 ℃
工作温度(Min)-55 ℃
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SI2300DS-T1-GE3 外形尺寸、物理参数、其它

类型描述
包装方式Tape & Reel (TR)
宽度1.6 mm
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SI2300DS-T1-GE3 数据手册

SI2300DS-T1-GE3 数据手册
Vishay Intertechnology
7 页 / 0.11 MByte
SI2300DS-T1-GE3 其他数据使用手册
Vishay Intertechnology
10 页 / 0.22 MByte

SI2300DST1 数据手册

SI2300DS-T1-GE3 数据手册
VISHAY（威世）
N沟道,30V,3.6A,68mΩ@4.5V
SI2300DS-T1-GE3 数据手册
Vishay Siliconix
SI2300DS-T1-GE3 数据手册
Vishay Semiconductor（威世）
VISHAY  SI2300DS-T1-GE3  晶体管, MOSFET, N沟道, 3.6 A, 30 V, 0.055 ohm, 4.5 V, 600 mV
SI2300DS-T1-GE3 数据手册
Vishay Intertechnology
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