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SI2300DS-T1-GE3
来自 AiPCBA

SI2300DS-T1-GE3 数据手册 - VISHAY（威世）

制造商:VISHAY（威世）
分类:MOS管
封装:SOT-23-3
描述:N沟道,30V,3.6A,68mΩ@4.5V
PDF文件:SI2300DS-T1-GE3 数据手册 (7 页)
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SI2300DS-T1-GE3 数据手册 (7 页)
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SI2300DS-T1-GE3 技术参数、封装参数

类型描述
安装方式Surface Mount
引脚数3 Pin
封装SOT-23-3
针脚数3 Position
漏源极电阻0.055 Ω
极性N-CH
功耗1.1 W
阈值电压600 mV
漏源极电压(Vds)30 V
连续漏极电流(Ids)3.6A
上升时间15 ns
输入电容值(Ciss)320pF @15V(Vds)
额定功率(Max)1.7 W
下降时间11 ns
工作温度(Max)150 ℃
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SI2300DS-T1-GE3 外形尺寸、物理参数、其它

类型描述
产品生命周期Active
包装方式Tape & Reel (TR)
工作温度-55℃ ~ 150℃ (TJ)
最小包装数量3000
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SI2300DS-T1-GE3 数据手册

SI2300DS-T1-GE3 数据手册
VISHAY（威世）
7 页 / 0.11 MByte
SI2300DS-T1-GE3 其他数据使用手册
VISHAY（威世）
10 页 / 0.19 MByte
SI2300DS-T1-GE3 产品修订记录
VISHAY（威世）
2 页 / 0.09 MByte

SI2300DST1 数据手册

SI2300DS-T1-GE3 数据手册
VISHAY（威世）
N沟道,30V,3.6A,68mΩ@4.5V
SI2300DS-T1-GE3 数据手册
Vishay Siliconix
SI2300DS-T1-GE3 数据手册
Vishay Semiconductor（威世）
VISHAY  SI2300DS-T1-GE3  晶体管, MOSFET, N沟道, 3.6 A, 30 V, 0.055 ohm, 4.5 V, 600 mV
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