最大源漏极电压VdsDrain-Source Voltage| -20V \---|--- 最大栅源极电压Vgs(±)Gate-Source Voltage| 6V 最大漏极电流IdDrain Current| -2.4A 源漏极导通电阻RdsDrain-Source On-State Resistance| 0.080Ω @-2.8A,-4.5V 开启电压Vgs（th）Gate-Source Threshold Voltage| -0.45--0.95V 耗散功率PdPower Dissipation| 900mW/0.9W Description & Applications| FEATURES • Halogen-free Option Available 描述与应用| 卤素自由选择
VISHAY（威世）
6 页 / 0.09 MByte
Micro Commercial Components（美微科）
VISHAY（威世）
P通道20 -V （D -S ）的MOSFET P-Channel 20-V (D-S) MOSFET
VISHAY（威世）
P沟道2.5 V （G -S ）的MOSFET P-Channel 2.5 V (G-S) MOSFET
VISHAY（威世）
P通道20 -V （D -S ）的MOSFET P-Channel 20-V (D-S) MOSFET
Vishay Semiconductor（威世）
P 通道 MOSFET，8V 至 20V，Vishay Semiconductor### MOSFET 晶体管，Vishay Semiconductor
Micro Commercial Components（美微科）
P沟道,-20V,-2.8A,120mΩ@-4.5V
Vishay Semiconductor（威世）
VISHAY SI2301CDS-T1-E3 晶体管, MOSFET, P沟道, -3.1 A, -20 V, 0.11 ohm, -2.5 V, -400 mV
器件 Datasheet 文档搜索
数据库涵盖高达 72,405,303 个元件的数据手册，每天更新 5,000 多个 PDF 文件
