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SI2301BDS-T1-GE3
来自 AiPCBA

SI2301BDS-T1-GE3 数据手册 - Vishay Semiconductor（威世）

制造商:Vishay Semiconductor（威世）
分类:MOS管
封装:SOT-23
描述:P沟道2.5 V （G -S ）的MOSFET P-Channel 2.5 V (G-S) MOSFET
PDF文件:SI2301BDS-T1-GE3 数据手册 (9 页)
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SI2301BDS-T1-GE3 数据手册 (9 页)
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SI2301BDS-T1-GE3 技术参数、封装参数

类型描述
引脚数3 Pin
封装SOT-23
漏源极电阻0.08 Ω
极性P-Channel
功耗700 mW
漏源极电压(Vds)-20.0 V
连续漏极电流(Ids)-2.20 A
上升时间40 ns
下降时间20 ns
工作温度(Max)150 ℃
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SI2301BDS-T1-GE3 外形尺寸、物理参数、其它

类型描述
工作温度-55℃ ~ 150℃
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SI2301BDS-T1-GE3 数据手册

SI2301BDS-T1-GE3 数据手册
Vishay Semiconductor（威世）
9 页 / 0.2 MByte
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Vishay Semiconductor（威世）
9 页 / 0.2 MByte
SI2301BDS-T1-GE3 产品修订记录
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