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SI2301CDS-T1-GE3
来自 AiPCBA

SI2301CDS-T1-GE3 数据手册 - Vishay Semiconductor（威世）

制造商:Vishay Semiconductor（威世）
分类:MOS管
封装:SOT-23
描述:P 通道 MOSFET，8V 至 20V，Vishay Semiconductor### MOSFET 晶体管，Vishay Semiconductor
PDF文件:SI2301CDS-T1-GE3 数据手册 (6 页)
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SI2301CDS-T1-GE3 数据手册 (6 页)
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SI2301CDS-T1-GE3 技术参数、封装参数

类型描述
安装方式Surface Mount
引脚数3 Pin
封装SOT-23
额定功率1.6 W
针脚数3 Position
漏源极电阻0.142 Ω
极性P-Channel
功耗1.6 W
漏源极电压(Vds)-20.0 V
连续漏极电流(Ids)-3.10 A
上升时间35 ns
输入电容值(Ciss)405pF @10V(Vds)
下降时间10 ns
工作温度(Max)150 ℃
工作温度(Min)-55 ℃
耗散功率(Max)860 mW
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SI2301CDS-T1-GE3 外形尺寸、物理参数、其它

类型描述
包装方式Tape & Reel (TR)
长度3.04 mm
宽度1.4 mm
高度1.02 mm
工作温度-55℃ ~ 150℃
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SI2301CDS-T1-GE3 数据手册

SI2301CDS-T1-GE3 数据手册
Vishay Semiconductor（威世）
6 页 / 0.09 MByte
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