| 类型 | 描述 |
|---|
| 封装 | TO-236 |
| 极性 | P-CH |
| 漏源极电压(Vds) | 20 V |
| 连续漏极电流(Ids) | 2.3A |
最大源漏极电压VdsDrain-Source Voltage| -20V \---|--- 最大栅源极电压Vgs(±)Gate-Source Voltage| 8V 最大漏极电流IdDrain Current| -2.3A 源漏极导通电阻RdsDrain-Source On-State Resistance| 0.105Ω @-2.8A,-4.5V 开启电压Vgs（th）Gate-Source Threshold Voltage| -0.45V 耗散功率PdPower Dissipation| 1.25W Description & Applications| P-Channel 1.25-W, 2.5-V MOSFET 描述与应用| P沟道1.25-W，2.5-V MOSFET
VISHAY（威世）
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Micro Commercial Components（美微科）
VISHAY（威世）
P通道20 -V （D -S ）的MOSFET P-Channel 20-V (D-S) MOSFET
VISHAY（威世）
P沟道2.5 V （G -S ）的MOSFET P-Channel 2.5 V (G-S) MOSFET
VISHAY（威世）
P通道20 -V （D -S ）的MOSFET P-Channel 20-V (D-S) MOSFET
Vishay Semiconductor（威世）
P 通道 MOSFET，8V 至 20V，Vishay Semiconductor### MOSFET 晶体管，Vishay Semiconductor
Micro Commercial Components（美微科）
P沟道,-20V,-2.8A,120mΩ@-4.5V
Vishay Semiconductor（威世）
VISHAY SI2301CDS-T1-E3 晶体管, MOSFET, P沟道, -3.1 A, -20 V, 0.11 ohm, -2.5 V, -400 mV
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