| 类型 | 描述 |
|---|
| 安装方式 | Surface Mount |
| 引脚数 | 3 Pin |
| 封装 | SOT-23-3 |
| 通道数 | 1 Channel |
| 漏源极电阻 | 110 mΩ |
| 极性 | P-CH |
| 功耗 | 1.25 W |
| 漏源极电压(Vds) | 20 V |
| 漏源击穿电压 | 20 V |
| 连续漏极电流(Ids) | 2.8A |
| 输入电容值(Ciss) | 880pF @6V(Vds) |
| 额定功率(Max) | 1.25 W |
| 工作温度(Max) | 150 ℃ |
| 耗散功率(Max) | 1.25W (Ta) |
| 类型 | 描述 |
|---|
| 产品生命周期 | Active |
| 包装方式 | Tape & Reel (TR) |
| 工作温度 | -55℃ ~ 150℃ (TJ) |
Micro Commercial Components（美微科）
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Micro Commercial Components（美微科）
VISHAY（威世）
P通道20 -V （D -S ）的MOSFET P-Channel 20-V (D-S) MOSFET
VISHAY（威世）
P沟道2.5 V （G -S ）的MOSFET P-Channel 2.5 V (G-S) MOSFET
VISHAY（威世）
P通道20 -V （D -S ）的MOSFET P-Channel 20-V (D-S) MOSFET
Vishay Semiconductor（威世）
P 通道 MOSFET，8V 至 20V，Vishay Semiconductor### MOSFET 晶体管，Vishay Semiconductor
Micro Commercial Components（美微科）
P沟道,-20V,-2.8A,120mΩ@-4.5V
Vishay Semiconductor（威世）
VISHAY SI2301CDS-T1-E3 晶体管, MOSFET, P沟道, -3.1 A, -20 V, 0.11 ohm, -2.5 V, -400 mV
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