| 类型 | 描述 |
|---|
| 安装方式 | Surface Mount |
| 封装 | SOT-23 |
| 极性 | N-CH |
| 漏源极电压(Vds) | 20 V |
| 连续漏极电流(Ids) | 2.1A |
| 输入电容值(Ciss) | 300pF @10V(Vds) |
| 额定功率(Max) | 700 mW |
| 类型 | 描述 |
|---|
| 包装方式 | Tape & Reel (TR) |
| 工作温度 | -55℃ ~ 150℃ (TJ) |
最大源漏极电压Vds Drain-Source Voltage| 20V \---|--- 最大栅源极电压Vgs(±) Gate-Source Voltage| 8V 最大漏极电流Id Drain Current| 2.4A 源漏极导通电阻ΩRds DΩ/Ohmain-SouΩ/Ohmce On-State Ω/Ohmesistance| 0.115Ω/Ohm @3.1A,2.5V 开启电压Vgs（th） Gate-Source Threshold Voltage| 0.65-1.2V 耗散功率Pd Power Dissipation| 900mW/0.9W Description & Applications| N-Channel 1.25-W, 2.5-V MOSFET 描述与应用| N沟道1.25-W， 2.5 V MOSFET
VISHAY（威世）
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N沟道1.25 W， 2.5 V MOSFET N-Channel 1.25-W, 2.5-V MOSFET
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N沟道1.25 W， 2.5 V MOSFET N-Channel 1.25-W, 2.5-V MOSFET
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N沟道2.5 -V （G -S ）的MOSFET N-Channel 2.5-V (G-S) MOSFET
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N沟道2.5 -V （G -S ）的MOSFET N-Channel 2.5-V (G-S) MOSFET
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VISHAY SI2302ADS-T1-GE3 场效应管, MOSFET, N沟道, 2.1A, 20V, 700mW
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