| 类型 | 描述 |
|---|
| 安装方式 | Surface Mount |
| 引脚数 | 3 Pin |
| 封装 | SOT-23-3 |
| 漏源极电阻 | 0.045 Ω |
| 极性 | N-Channel |
| 功耗 | 0.7 W |
| 阈值电压 | 950 mV |
| 漏源极电压(Vds) | 20 V |
| 漏源击穿电压 | 20 V |
| 连续漏极电流(Ids) | 2.40 A, 2.10 A |
| 上升时间 | 80 ns |
| 输出功率 | 700 mW |
| 热阻 | 140℃/W (RθJA) |
| 输入电容值(Ciss) | 300pF @10V(Vds) |
| 下降时间 | 25 ns |
| 工作温度(Max) | 150 ℃ |
| 工作温度(Min) | -55 ℃ |
| 耗散功率(Max) | 700mW (Ta) |
| 类型 | 描述 |
|---|
| 产品生命周期 | Obsolete |
| 包装方式 | Cut Tape (CT) |
| 工作温度 | -55℃ ~ 150℃ (TJ) |
Vishay Siliconix
2 页 / 0.06 MByte
Vishay Siliconix
8 页 / 0.19 MByte
Vishay Siliconix
1 页 / 0.12 MByte
VISHAY（威世）
N沟道1.25 W， 2.5 V MOSFET N-Channel 1.25-W, 2.5-V MOSFET
Vishay Semiconductor（威世）
N沟道1.25 W， 2.5 V MOSFET N-Channel 1.25-W, 2.5-V MOSFET
VISHAY（威世）
N沟道2.5 -V （G -S ）的MOSFET N-Channel 2.5-V (G-S) MOSFET
Vishay Semiconductor（威世）
N沟道2.5 -V （G -S ）的MOSFET N-Channel 2.5-V (G-S) MOSFET
Vishay Semiconductor（威世）
VISHAY SI2302ADS-T1-GE3 场效应管, MOSFET, N沟道, 2.1A, 20V, 700mW
器件 Datasheet 文档搜索
数据库涵盖高达 72,405,303 个元件的数据手册，每天更新 5,000 多个 PDF 文件
